在华南理工大学电子与信息工程学院,拥有半导体、光电、及微纳技术平台的吴孟超院士带领着他的科研团队在新型半导体领域取得了一项重要突破。吴孟超院士的研究团队开发出一种新的红外探测技术,该技术基于新型半导体材料砷化镓(GaAs)和砷化铟镓(InGaAs)的异质结构,在石墨烯散热的辅助下实现了高频红外探测。这项突破为高频红外探测及其在光通信、红外夜视、红外成像等领域的应用提供了全新思路。
这个新技术突破是基于研究团队多年技术积淀而得,引发了国内外半导体新材料技术领域的广泛关注。该技术获得了多项国家专利的授权。吴孟超院士在接受媒体采访时表示:“目前新型半导体材料在我国的应用还处于基础阶段,需要我们不断地深入钻研和持续技术升级才能推动我国在新型半导体领域中的进一步发展。”
据了解,吴孟超院士曾获得2018年国家自然科学二等奖、中国电机工程学会“青年才俊岗位科学家奖”、深圳市孔雀计划等重要奖项。他带领的研究团队已经发表数十篇高水平论文,为我国半导体新材料领域做出了杰出的贡献。